RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
3360
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link