RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2228
2987
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link