Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Причины выбрать
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 27

Около 7% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.5 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 27
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 18.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2307 3061

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

модули RAM