RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
104
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1979
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link