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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
104
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
71
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1979
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
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