RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
104
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1979
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link