RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
2466
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link