RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 8 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2100
3017
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link