Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9965669-009.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 10.3

Среднее значение в тестах

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 46

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.3 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 33
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 10.3
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2175

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston X5H5PW-MIB 8GB

Kingston X5H5PW-MIB 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

модули RAM