Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Средняя оценка

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Причины выбрать
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Сообщить об ошибке

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 38

Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.0
Скорость записи, Гб/сек

8.7 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2106 2917

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM