RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2865
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link