Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 22

Около 9% меньшая задержка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.7 17

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

20 22
Скорость чтения, Гб/сек

17.0 17.7
Скорость записи, Гб/сек

11.5 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3077 2666

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB

модули RAM

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

модули RAM