Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Средняя оценка

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 38

Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 14.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.6 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

20 38
Скорость чтения, Гб/сек

17.0 14.8
Скорость записи, Гб/сек

11.5 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3077 2825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

модули RAM