RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
24
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
16
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3906
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link