RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
24
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
16
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3906
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link