RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
31
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
31
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
15.4
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3318
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link