Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 29

Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22.8 18.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

16.1 15.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

17 29
Скорость чтения, Гб/сек

22.8 18.2
Скорость записи, Гб/сек

15.4 16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3391 3748

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905678-102.A00G 8GB

Kingston 9905678-102.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM