RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3507
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link