RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
31
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
31
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
15.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2354
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link