RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
49
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
49
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
15.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2413
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link