RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
18
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
17.2
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
18
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
15.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3814
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link