Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    17 left arrow 18
    Autour de 6% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    22.8 left arrow 20.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    17.2 left arrow 15.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    17 left arrow 18
  • Vitesse de lecture, GB/s
    22.8 left arrow 20.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    15.4 left arrow 17.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3391 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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