Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.5 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.2 6.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 40

Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 39
Скорость чтения, Гб/сек

14.5 7.7
Скорость записи, Гб/сек

9.2 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2509 1768

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

модули RAM