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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
40
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
39
读取速度,GB/s
14.5
7.7
写入速度,GB/s
9.2
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2509
1768
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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