Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 83

Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.0 8.1

Среднее значение в тестах

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.3 14

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 83
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

9.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2489 1774

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

Apacer Technology D22.23263S.002 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM