RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
83
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
83
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link