RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3273
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link