Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 37

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.6 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 23
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 16.6
Скорость записи, Гб/сек

7.4 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 2495

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM