RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
45
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
6.9
Скорость записи, Гб/сек
7.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
1499
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link