RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.4
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3483
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link