Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 37

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 21
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.4 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 3126

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

модули RAM