Corsair VS1GB800D2 1GB против Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

-->

Средняя оценка

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Средняя оценка

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair VS1GB800D2 1GB

Причины выбрать
Corsair VS1GB800D2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.3

Среднее значение в тестах

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 47

Около -34% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.6 1,361.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,680.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,361.1 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

460 3371

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM