RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сравнить
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB против Super Talent F21UB8GS 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Средняя оценка
Super Talent F21UB8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
1,839.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,246.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,839.1
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
721
2200
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link