RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
71
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1650
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link