Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Note globale
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 71
    Autour de 54% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.6 left arrow 15.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.0 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 21300
    Autour de 1.2% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    33 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.6 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.0 left arrow 6.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2910 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons