Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 71
    Intorno 54% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.6 left arrow 15.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 6.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 21300
    Intorno 1.2% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.6 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 6.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2910 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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