Comparação RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Pontuação geral

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

33 71

Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.6 15.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 6.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 21300

Por volta de 1.2% maior largura de banda

Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2910 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns