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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
71
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1650
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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