RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link