Corsair VSA2GSDS667C4 2GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Причины выбрать
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.3

Среднее значение в тестах

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 51

Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.8 1,839.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,246.9 17.3
Скорость записи, Гб/сек

1,839.1 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

721 3033

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM