RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1813
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link