Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 46

Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 38
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 3092

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM