RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
71
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1813
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link