RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3324
3385
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link