RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
1998
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link