Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 15.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 34

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.4 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 24
Скорость чтения, Гб/сек

16.2 15.6
Скорость записи, Гб/сек

9.7 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2636 2736

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

модули RAM