RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2971
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link