RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
32
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
32
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
15.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2831
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link