RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3086
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link