RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3086
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link