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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
32
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
32
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2831
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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